高色纯度、宽色域的钙钛矿量子点发光二极管(QLEDs)在下一代显示技术中具有良好的应用前景。然而，胶体钙钛矿量子点(PQDs)在成膜过程中可能会引入大量缺陷，不利于器件的发光效率。同时，PQDs的无序成膜会形成界面缺陷，降低器件性能。
本文报道了一种界面诱导结晶度增强(IICE)策略，以提高空穴传输层(HTL)/PQD界面上PQD的结晶度。结果表明，PQD薄膜中的Br -空位和界面缺陷都得到了良好的钝化，泄漏电流也得到了抑制。我们实现的QLEDs的最大外部量子效率(EQE)为16.45%，电流效率(CE)为61.77 cd/ a，性能提高到控制器件的两倍以上。
IICE策略为提高PQD薄膜的结晶度，从而提高QLEDs的性能，为未来显示领域的应用铺平了新的道路。
二、图文导读
图1 IICE策略。(a−c)原始PQD和ABr-PQD薄膜的吸收光谱和PL光谱，PLQY和TRPL。(d)PQDs的Pb 4f能谱。(e) XPS测得的Br/Pb原子比。(f)原始PQD和ABr-PQD薄膜的XRD谱图。(g, h)无LiBr层和有LiBr层的HTL / PQDs界面的高分辨率TEM图像。插图显示了原始PQD和LiBr-PQD薄膜的XRD光谱。IICE战略模式。
图2 器件的载流子动力学。(a)纯孔器件结构示意图。(b)纯孔控制器件和LiBr-QLEDs的J−V曲线。(c)纯空穴装置陷阱密度计算结果。(d)纯电子器件结构示意图。(e)用于控制和LiBr -QLEDs的纯电子器件的J−V曲线。(f)纯电子器件的阱密度计算结果。
图3 具有ABr层的高性能QLEDs。(a) ABr-QLEDs结构图。(b)在HTL /PQDs之间插入ABr层的QLEDs横切面图。(c)对照和ABr-QLEDs的EL光谱。插图是qled的电致发光照片。(d)对照和ABr-QLEDs的J−V−L图。(e)器件的EQE和(f) CE随电流密度的函数关系。
图4 具有LiBr层的高性能QLEDs。(a) 0 ~ 4 nm LiBr层QLEDs的J−V−L图。(b)器件的EQE与电流密度的关系。(c)器件的CE与电流密度的函数关系。(d)最优器件J−V−L图。(e)最优器件的EQE和CE随电流密度的函数。(f)对照QLEDs与LiBr-QLEDs的最大EQE统计图。