长久以来，铟镓氮化物 LED 凭借其出色的效率在照明领域占据了重要地位，然而其在高功率运行时效率急剧下滑的 “效率魔咒” 却一直制约着进一步发展。为打破这一瓶颈，名古屋大学的研究者们独辟蹊径，采用倾斜 InGaN 层并结合特殊切割工艺的精妙手段，巧妙地对晶体极化特性进行调控，从而有效遏制了效率的下滑态势。通过这一创新方法，他们在成本低廉的蓝宝石基底上成功制备出（101̅3）方向的 LED，这些新型 LED 在高功率条件下依然能够保持卓越的效率表现，实现了亮度与效率的完美平衡。
这一重大发现的影响力绝不仅仅局限于实验室的成果展示，其更深远的价值在于为多个行业的技术升级开启了新的大门。在显示技术领域，它为制造更为高效、明亮的 Micro LED 显示屏提供了坚实的技术支撑，无论是小巧便携的移动设备，还是震撼视觉的大屏幕电视，都有望迎来画质与能效的双重飞跃；在汽车照明以及特种工业照明方面，更高电流密度的 LED 研发成为可能，这将极大地提升照明系统的性能与可靠性，满足日益严苛的工业应用需求；此外，对于可见光通信技术以及虚拟现实（VR）眼镜的发展而言，这一突破也将推动其 LED 元件实现更快的开关速度，为数据传输与沉浸式体验提供更为强劲的动力。
相关研究成果已在国际权威期刊《激光与光子学评论》上发表，题为《如何制造高内量子效率的半极性 InGaN 发光二极管：内部场的重要性》。名古屋大学的此项研究无疑在全球 LED 技术研发的赛道上跑出了令人瞩目的成绩，不仅为行业发展注入了新的活力与灵感，也让我们对未来 LED 技术在更多领域的广泛应用充满了期待与憧憬。