在当今对显示效果追求极致的时代,一项具有变革性潜力的技术——Micro-LED 正闪耀登场。它不仅为消费者带来前所未有的视觉希望,也为行业开拓了创新与高效融合的全新路径。
首先,让我们来了解一下什么是 Micro-LED。Micro-LED,又称 mLED 或μLED,是一种经过薄膜化、微小化和阵列化处理的 LED 结构,尺寸在 1 - 50μm 之间,由微米级半导体发光单元阵列组成。它是一种将电能转化为光能的电致发光器件,通过巨量转移可批量转移到驱动电路基板上,驱动电路基板可为硬性或柔性衬底。随后利用物理气相沉积等方法制备保护层和外接电极,最后进行封装。其中的 LED 由 II-VI 和 III-V 族化合物,如 GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)、GaN(氮化镓)等半导体制成,其核心结构由 p 型半导体和 n 型半导体材料形成的 pn 结组成。
那么,Micro-LED 的独特优势在哪里呢?其核心优势在于卓越的性能表现。一是拥有更高的亮度与对比度,自发光特性带来更纯粹的黑色和炫丽的亮度,让色彩更加逼真生动。二是更低的能耗,在提供出色画质的同时,具备出色的能效,对延长移动设备电池寿命意义重大。三是超快响应,观看高速运动场景时无任何拖影,画面清晰流畅。
然而,Micro LED 产业链存在技术瓶颈。其工艺流程涵盖衬底制备、外延片与晶圆制备、像素组装、缺陷监测、全彩化、光提取与成型、像素驱动等 7 个环节。具体来说,产业链包含芯片制造、巨量转移、面板制造、封装/模组、应用以及相关配套产业。其中,检测修复环节是各大参与者竞争的关键领域。由于 Micro LED 的芯片尺寸和间距极小,传统测试设备难以适用。如何在海量的芯片中检测、修复或替换存在缺陷的晶粒,是一个极其艰巨的挑战。目前的解决方案包括光致发光测试和电致发光测试。光致发光测试借助光源激发硅片或太阳电池片,通过采集特定波长的发光信号和数据处理来辨别芯片缺陷。电致发光测试则是在强电场作用下,根据芯片中电子回到基态时发出的光来检测缺陷。
7 月 16 日,兆驰半导体传来好消息,其“Micro-LED 检测设备”专利已进入授权阶段。该设备由下至上依次设置有紫外面光源、透明基板、光罩板、滤光片、CCD 检测探头。在透明基板上放置有待测的 Micro-LED 芯片,光罩板上设有与待测 Micro-LED 芯片所处位置相匹配的透光孔。这一实用新型的检测设备能够快速筛查出异常芯片并剔除。
兆驰半导体专注于新型显示领域的产业共性技术和前瞻性技术的开发与转移,致力于实现“市场导向、技术突破、产线融合”的全链条协同创新。从过往的专利布局来看,兆驰半导体已构建起涵盖材料外延、芯片制造、转移集成、可靠性评估等完整的 Micro-LED 智造创新链。结合自身在数字智能等新型制造方面的优势,能够大幅缩短研发周期、降低开发成本、提高良率和效率。
兆驰半导体在 Micro-LED 领域的不懈努力和显著突破,彰显了其强大的技术实力和创新精神。相信在未来,兆驰半导体将继续凭借关键核心技术的突破,深耕 Micro-LED 产业,加速产业转化,为我国在未来显示领域的持续领先地位提供强大支撑,引领全球显示技术迈向新的高峰!