LED是新型显示领域的关键核心技术，在高端制造业中具有重要地位，是新质生产力的典型代表。薄膜LED技术是一类可以把LED器件大面积制备于任意基底（包括柔性）的技术，也是目前主流手机显示屏制造所普遍采纳的先进技术。随着全球新型显示产业与应用领域不断发展，科技界对更低成本、更高亮度、更优光效的高性能薄膜LED研发愈加深入。
基于钙钛矿半导体材料的LED是一类新兴的薄膜LED，具有加工工艺简便、高亮度高效率等特性，近年来在光电器件研究领域备受瞩目，成为全球新型发光与显示技术竞争的焦点。
黄维院士和王建浦教授领导的创新团队是国际上钙钛矿LED研究的开拓者与引领者。十年前，他们利用界面调控构建高效率器件，在国际上率先突破了钙钛矿LED外量子效率1%的瓶颈。
2016年，他们通过多量子阱钙钛矿实现高效发光，有效抑制非辐射复合，创下外量子效率突破10%的世界纪录。2018年，他们利用溶液法自组装形成亚微米结构，构建了易于出光耦合的新型器件，使得外量子效率迈过20%大关，再度刷新里程碑。
团队研究成果在全球钙钛矿LED研究领域中形成重大影响，为海内外同行探索高效率钙钛矿LED提供了宝贵借鉴，团队在钙钛矿LED领域发表的高水平研究成果在国际权威的科技数据库——科睿唯安发布的“研究前沿”中位列全球首位。
钙钛矿发光材料有三维、低维之分，其中三维钙钛矿最有潜力实现高亮度下的高效率发光，对未来发光显示技术实现产业化意义重大。然而，三维钙钛矿LED外量子效率普遍停留在20%左右，整体性能提升遭遇瓶颈。
“外量子效率由荧光量子效率和光提取效率共同决定，目前，器件光提取效率限制已被突破，荧光量子效率的提升却未及预期。荧光量子效率是辐射复合与非辐射复合过程竞争的结果，也就是说，为了提升荧光量子效率，需要抑制非辐射复合、提升辐射复合。以往研究中大多采取缺陷钝化的方式来抑制非辐射复合，但即使三维钙钛矿薄膜缺陷密度已经减少到单晶钙钛矿水平，荧光量子效率仍普遍停留在70%左右。”王建浦教授介绍了领域内有关三维钙钛矿材料荧光量子效率提升的难题。
为解决这一世界性难题，该团队另辟蹊径，创造性地提出了一种通过调控晶体生长的方法，以生成辐射复合速率更快的钙钛矿晶相，从而显著提高了荧光量子效率。
同时，团队巧妙地运用这一创新性方法成功地保持了三维钙钛矿的亚微米结构，使得器件的光提取效率不受影响，达到了双管齐下的效果。该研究由此实现了96%的荧光量子效率和大于30%的光提取效率，并进一步制备出外量子效率达到32%的高效钙钛矿LED，再次创造了钙钛矿LED发光效率的世界纪录。
“我们同样发现，器件在高亮度下仍能保持高效率，即使在100毫安每平方厘米的大电流密度下，外量子效率仍能保持在30%。”朱琳副教授介绍说。
谈及钙钛矿LED的发展，黄维院士非常兴奋地表示，这一重大突破进一步彰显了基于钙钛矿半导体材料的薄膜LED技术的巨大潜力，必将推动基于钙钛矿LED的显示技术的产业化步伐。同时，预示着其在高效绿色照明领域的广泛应用前景。“此外，这项创新突破也是我们团队在国家重点研发计划、国家基础科学中心等科研项目的长期支持下，联合国内柔性电子领域多家优势单位，包括南京工业大学、福建师范大学（海峡创新实验室）、复旦大学、浙江大学、中山大学、常州大学和澳门大学等单位共同攻关取得的，充分体现了学科交叉、协同创新的重要作用”黄维院士补充介绍说。