沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）先进半导体实验室论证了一种名为选择性热氧化（STO）的新型Micro LED像素定义方法。这种方法免除了像素制造工艺中等离子刻蚀的需要，为进一步提升Micro LED性能提供了新的解决方案。
KAUST的工程师们通过高温热退火工艺选择性的氧化了芯片中的非像素区域，致使非像素区域内的p层和InGaN/GaN多量子阱结构发生改变，并使该区域失去发光功能。通过STO工艺,Micro LED像素得以定义, 并显示出低漏电和高效率等卓越的器件性能。
该方法普遍适用于InGaN/GaN的不同颜色（蓝，绿，红）的Micro LED制造，有望在未来微型显示、可见光通信和基于光学互连的存储器等多项应用中发挥重要作用。
其团队表示，目标是将Micro LED应用于增强现实/虚拟现实 （AR/VR）的产品中。目前，利用所提出STO技术已实现小至2.3微米的Micro LED像素发光。实验室正在计划将制造的器件转移到商用的微型显示面板上做进一步的验证。
