2023 年 7 月 5 日，上海芯元基半导体采用化学剥离 GaN 技术，通过特殊设计的光学反射层及量子点色转换技术，成功实现了高良率、高效纯红光倒装结构和正装结构的量子点 Mini LED 芯片。这一突破将有效降低红光芯片的成本，提高产品性价比，为量子点显示技术的商业化进程全面提速。
在倒装结构量子点芯片技术方面，芯元基将剥离后的 GaN 芯片出光面，用量子点胶水贴合到已加工好的特殊光学反射层基板上。该光学反射层对激发光源的波长具有高反射率，对量子点发光的波段则有非常高的透光率，从而实现红光量子点更好激发。在红光量子点厚度小于 1 微米的情况下，量子点完全激发后，红光芯片无漏蓝光等现象。在量子点芯片加工过程中，采用标准的半导体制程，结合光罩对准方法，在像素侧壁制作高密度介质层，实现量子点的完全密封，消除了量子点在可靠度方面的顾虑。
产品特性曲线表现出色，芯片尺寸为 24mil/50100um。发光测试情况及良率也十分可观，光谱分布无蓝峰，芯片漏电流分布中 IR＜0.1uA，良率大于 97%，芯片电压分布在 3.1 - 3.2V@5mA。
后续，芯元基半导体将以该技术为基础，进一步开发与量子点色转换层相关的显示器件技术，以满足未来高分辨率显示系统的实际需求。基于该量子点技术方案，芯元基半导体正在为国际知名机构开发尺寸小于 0.2mm*0.2mm 的量子点 MIP 器件。芯元基的量子点 MIP 技术在 GaN 晶圆的每个子像素侧壁均设有金属电极结构，这种结构不仅有利于像素的共阴极设计，还能更好地解决独立子像素间的光串扰问题。在 RGB 量子点模板（QDCC）上，采用特定结构设计的光学反射镜，实现红光、绿光的高效激发。所有制程均采用标准的晶圆加工工艺，无需巨量转移工艺，直接将晶圆芯片和 QDCC 模板键合，在降低 MIP 产业成本的同时，实现高可靠性的像素单元。
上海芯元基半导体在量子点芯片技术上的重大突破，为显示技术的发展带来了新的机遇。随着技术的不断进步和产业化进程的加速，相信量子点显示技术将在未来为我们带来更加震撼的视觉体验。