Micro LED是能实现超大屏显示及特殊形状模组显示的技术。目前的Micro LED显示方案一般是使用红光、绿光、蓝光晶圆的晶粒进行制备，同时也有一种独特的量子点融合工艺，可实现Micro led显示屏的无缝集成。
赛富乐斯该白皮书即是阐述融合了量子点的Micro LED制备技术，通过在氮化镓基蓝光LED内制备纳米孔结构并载入红光、绿光量子点，经由蓝光泵浦后，可实现全彩Micro LED显示，解决三色LED带来的成本、技术等难题。以下为该技术基本信息整理：
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01
挑战
Micro LED显示技术能解决OLED和LED-LCD的缺陷问题，实现颠覆性的显示方案。为了实现所有显示应用都由Micro LED驱动的终极场景，一些关键问题需要解决，包括：红光效率、巨量转移，以及特定场合背景下的亮度表现。
■ 红光效率问题
AlInGaP由于其低成本、高亮度和可靠性的优势，在照明和显示应用中得到广泛应用。然而，当接近微米级尺寸时，AlInGaP基Micro LED的效率降低了一个数量级，导致红光效率成为了Micro LED应用普及的一大阻碍。微米级LED尺寸越小，由于侧壁缺陷处的非辐射复合导致的载流子损失越大，效率也越低。低红光效率最终影响了显示屏整体亮度和能耗。
■ 特定色域/使用条件下的亮度问题
生动的色彩和高亮度是HDR显示的关键要求。人眼具有非常广的动态范围，能覆盖绝对高亮（10000尼特）到极端黑暗场景（0.005尼特）。
Rec-2020是现有显示色域参数中最广的。目前最好的消费显示屏只能覆盖色域的60%-80%。而Micro LED却能够开发出HDR的全部潜力，实现10,000尼特的峰值亮度和100% Rec-2020色域覆盖。
然而，由于当前的AlInGaP红光Micro LED效率低，制备的屏幕存在高耗能和低可靠性的问题，很难在使用场景下实现1,000尼特的亮度。
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创新
■ NPQD®技术原理
NPQD®代表“纳米孔-量子点”。通过电化学刻蚀，我们在氮化镓LED内部制备出纳米孔结构，注入红光和绿光量子点并通过蓝光激发，最终在单芯片上实现单独可控的R-G-B像素集成。
Figure 1. NPQD®技术原理
■ 技术特点（与其他量子点技术相比）